类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 18.0 A |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 51.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 55.0 W |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 18.0 A |
上升时间 | 23.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 18安培, 60伏 Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
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