| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 27.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 1.26 nF |
| 栅电荷 | 18.9 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 137 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1260pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor（安森美）
24 页 / 0.56 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
