| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 37.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1.01 nF |
| 栅电荷 | 30.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 60.5 ns |
| 下降时间 | 37.1 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 最小包装数量 | 2500 |
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ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
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ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N03L27T4G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
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功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, NâChannel DPAK
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
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