| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | DPAK-252 |
| 漏源极电阻 | 39.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 1.01 nF |
| 栅电荷 | 30.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 98 ns |
| 下降时间 | 62 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 最小包装数量 | 2500 |
ON Semiconductor（安森美）
12 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD20N06G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, NâChannel DPAK
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
