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NTD20P06L-1G
来自 AiPCBA

NTD20P06L-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:-60V,-15.5A功率MOSFET
PDF文件:NTD20P06L-1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页7 页
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焊盘图
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NTD20P06L-1G 数据手册 (7 页)
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NTD20P06L-1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-15.5 A
封装TO-251-3
漏源极电阻130 mΩ
极性P-Channel
功耗65 W
输入电容1.19 nF
栅电荷26.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)15.5 A
上升时间90 ns
输入电容值(Ciss)1190pF @25V(Vds)
下降时间70 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)65W (Tc)
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NTD20P06L-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度2.38 mm
高度6.35 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD20P06L-1G 数据手册

NTD20P06L-1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.14 MByte
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