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NTD2955PT4G
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NTD2955PT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:-12A,-60V,P沟道MOSFET
PDF文件:NTD2955PT4G 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页8 页
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焊盘图
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NTD2955PT4G 数据手册 (8 页)
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NTD2955PT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻0.155 Ω
极性P-Channel
功耗55 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A, -12.0 A
上升时间45 ns
输入电容值(Ciss)750pF @25V(Vds)
下降时间48 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)55 W
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NTD2955PT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD2955PT4G 数据手册

NTD2955PT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.1 MByte
NTD2955PT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NTD2955PT4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.1 MByte

NTD2955PT4 数据手册

NTD2955PT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
-12A,-60V,P沟道MOSFET
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