| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.094 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 48 W |
| 阈值电压 | 2.9 V |
| 输入电容 | 450 pF |
| 栅电荷 | 20.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 32.3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 450pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 下降时间 | 23.9 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 2.38 mm |
| 高度 | 6.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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功率MOSFET 12 A， 60 V Power MOSFET 12 A, 60 V
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ON SEMICONDUCTOR NTD3055-094-1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
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