类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 9.00 A |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 170 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.5 W |
输入电容 | 275 pF |
栅电荷 | 10.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±15.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
输入电容值(Ciss) | 275pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 1.5 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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9.0安培, 60伏特,逻辑电平, N沟道DPAK 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel DPAK
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