类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 68.0 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0078 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 75 W |
阈值电压 | 1.9 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 18.5 A |
上升时间 | 15.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 2400pF @24V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.04 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.04W (Ta), 75W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTD4302T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新
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