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NTD4809NAT4G
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NTD4809NAT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:58A,30V,N沟道MOSFET
PDF文件:NTD4809NAT4G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTD4809NAT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-Channel
功耗1.3W (Ta), 52W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)11.5 A, 58.0 A
输入电容值(Ciss)1456pF @12V(Vds)
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.3W (Ta), 52W (Tc)
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NTD4809NAT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD4809NAT4G 数据手册

NTD4809NAT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.12 MByte
NTD4809NAT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
58A,30V,N沟道MOSFET
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