| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 9 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 52 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 58.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 2155pF @12V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 2.38 mm |
| 高度 | 6.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTD4809NH-1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 2.1 V
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