| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 58.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 2155pF @12V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 30 V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET的30 V ， 58 A单N沟道， DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
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