| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 62.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 8.40 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| 输入电容 | 1.33 nF |
| 栅电荷 | 14.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 62.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1330pF @20V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 62 A， 24 V ， N沟道， DPAK Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
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