类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 25.0 V |
额定电流 | 62.0 A |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 8.40 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.87 W |
输入电容 | 1.33 nF |
栅电荷 | 14.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
漏源击穿电压 | 25.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 62.0 A |
上升时间 | 33 ns |
输入电容值(Ciss) | 1330pF @20V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.25W (Ta), 58W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 62 A, 24 V , N沟道, DPAK Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 62 A, 24 V , N沟道, DPAK Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件