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NTD6600NT4
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NTD6600NT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:功率MOSFET的100 V， 12 A， N沟道逻辑电平的DPAK Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK
PDF文件:NTD6600NT4 数据手册 (22 页)
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NTD6600NT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)100 V
额定电流12.0 A
封装TO-252-3
漏源极电阻118 mΩ
极性N-Channel
功耗1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
输入电容700 pF
栅电荷20.0 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
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NTD6600NT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD6600NT4 数据手册

NTD6600NT4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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