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NTD80N02-001
来自 AiPCBA

NTD80N02-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:NTD80N02-001 数据手册 (8 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在6 页7 页8 页
典型应用电路图在1 页
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NTD80N02-001 数据手册 (8 页)
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NTD80N02-001 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)24.0 V
额定电流80.0 A
封装TO-251-3
漏源极电阻5.00 mΩ
极性N-Channel
功耗75W (Tc)
漏源极电压(Vds)24 V
漏源击穿电压24.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)80.0 A
上升时间67.0 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @20V(Vds)
额定功率(Max)75 W
耗散功率(Max)75W (Tc)
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NTD80N02-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTD80N02-001 数据手册

NTD80N02-001 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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