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NTE159
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NTE159 数据手册 - NTE Electronics

制造商:NTE Electronics
分类:双极性晶体管
封装:TO-92
描述:NTE ELECTRONICS  NTE159  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 625 mW, -800 mA, 50 hFE
PDF文件:NTE159 数据手册 (2 页)
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引脚图
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NTE159 数据手册 (2 页)
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NTE159 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率500 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-92
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗625 mW
击穿电压(集电极-发射极)80.0V (min)
集电极最大允许电流1A
直流电流增益(hFE)50
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625 mW
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NTE159 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
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NTE159 数据手册

NTE159 数据手册
NTE Electronics
2 页 / 0.04 MByte
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