| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -2.60 A |
| 封装 | SOT-223-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 145 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 输入电容 | 492 pF |
| 栅电荷 | 14.3 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.60 A |
| 上升时间 | 7.6 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.57 mm |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.145Ω @-750mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -2.0--4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.8W Description & Applications| Features • TMOS7 Design for low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes 描述与应用| •TMOS7设计低RDS（on） •可承受高能量雪崩和减刑模式
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ON SEMICONDUCTOR NTF2955T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 V
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