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NTGD3148NT1G
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NTGD3148NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:3.5A,20V功率MOSFET
PDF文件:NTGD3148NT1G 数据手册 (5 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在5 页
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NTGD3148NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.0417 Ω
极性N-CH
功耗0.9 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)3A
上升时间11.2 ns
输入电容值(Ciss)300pF @10V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间1.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900 mW
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NTGD3148NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-50℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTGD3148NT1G 数据手册

NTGD3148NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
3.5A,20V功率MOSFET
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