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NTGD4167CT1G
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NTGD4167CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTGD4167CT1G  Dual MOSFET, N and P Channel, 2.6 A, 30 V, 52 mohm, 4.5 V, 900 mV 新
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NTGD4167CT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.052 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗900 mW
阈值电压900 mV
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)2.60 A
输入电容值(Ciss)295pF @15V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.1 W
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NTGD4167CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
宽度1.7 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTGD4167CT1G 数据手册

NTGD4167CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.12 MByte
NTGD4167CT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
26 页 / 0.29 MByte
NTGD4167CT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

NTGD4167CT1 数据手册

NTGD4167CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTGD4167CT1G  Dual MOSFET, N and P Channel, 2.6 A, 30 V, 52 mohm, 4.5 V, 900 mV 新
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