| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -4.70 A |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 60 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
| 输入电容值(Ciss) | 750pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 630 mW |
| 下降时间 | 22 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 630mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -3.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 110mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| Power MOSFET Features • Leading −30 V Trench Process for Low RDS(on) • Low Profile Package Suitable for Portable Applications • Surface Mount TSOP−6 Package Saves Board Space • Improved Efficiency for Battery Applications • Pb−Free Package is Available Applications • Battery Management and Switching • Load Switching • Battery Protection 描述与应用| 功率MOSFET 特点 •领导-30 V沟道工艺的低RDS（ON） •薄型封装，适合于便携式应用 •表面贴装TSOP-6封装节省电路板空间 •电池应用的效率的改进 •无铅包装是可用 应用 •电池管理和交换 •负载开关 •电池保护
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP
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