| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 3.90 A |
| 封装 | SMD-8 |
| 漏源极电阻 | 77.0 mΩ, 85.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 1.10 W |
| 输入电容 | 165 pF |
| 栅电荷 | 2.30 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.20 A |
| 输入电容值(Ciss) | 165pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.9A，3.2A 1.1W 表面贴装型 ChipFET™
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ON SEMICONDUCTOR NTHD3100CT1G. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷
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功率MOSFET的20 V ， 3.9一/-4.4 A，互补ChipFET Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
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