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NTHS4101PT1
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NTHS4101PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:ChipFET-8
描述:功率MOSFET -20 V， 6.7 A， P沟道ChipFET Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET
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NTHS4101PT1 数据手册 (6 页)
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NTHS4101PT1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-4.80 A
封装ChipFET-8
通道数1 Channel
漏源极电阻42 mΩ
极性P-Channel
功耗1.3 W
漏源极电压(Vds)20.0 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)4.80 A
上升时间28 ns
下降时间28 ns
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NTHS4101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度1.65 mm
高度1.05 mm
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NTHS4101PT1 数据手册

NTHS4101PT1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.12 MByte
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