| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 250 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 272 mW |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 输入电容 | 20pF @5V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 250 mA |
| 上升时间 | 23 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 33pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 272 mW |
| 下降时间 | 82 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.72 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.5Ω@ VGS =2.5V, ID =10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 272mW/0.272W Description & Applications| Small Signal MOSFET Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix) Applications • Low Side Load Switch • Li−Ion Battery Supplied Devices − Cell Phones, PDAs, DSC • Buck Converters • Level Shifts 描述与应用| 小信号MOSFET 特点 •低栅极电荷快速开关 • 小低印-30％小于TSOP-6 •ESD保护门 •面向绿色制造的无铅封装（G后缀） 应用 •低端负荷开关 •锂离子电池提供的设备 - 手机，掌上电脑，数码相机 •降压转换器 •电平转换
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小信号MOSFET Small Signal MOSFET
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ON SEMICONDUCTOR NTJD4001NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 V
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