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NTJD4105CT1G
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NTJD4105CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTJD4105CT1G  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
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NTJD4105CT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电流630 mA
封装SC-70-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.29 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗270 mW
阈值电压920 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)775 mA
输入电容值(Ciss)46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)270 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)550 mW
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NTJD4105CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTJD4105CT1G 数据手册

NTJD4105CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.14 MByte
NTJD4105CT1G 其他数据使用手册
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NTJD4105CT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
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NTJD4105CT1G 其他参考文件
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