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NTJD4105CT2G
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NTJD4105CT2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET
PDF文件:NTJD4105CT2G 数据手册 (8 页)引脚图在1 页Hot
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NTJD4105CT2G 数据手册 (8 页)
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NTJD4105CT2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电流630 mA
封装SOT-363-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.29 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗270 mW
阈值电压1.5 V
输入电容46.0 pF
栅电荷3.00 nC
漏源极电压(Vds)20V, 8V
漏源击穿电压±27 V
连续漏极电流(Ids)775 mA, 910 mA
输入电容值(Ciss)46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)270 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)550 mW
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NTJD4105CT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTJD4105CT2G 数据手册

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