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NTJD4105CT4G
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NTJD4105CT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:小信号MOSFET的20 V / -8.0 V，互补， 0.63 A / -0.775 A， SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
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NTJD4105CT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电流630 mA
封装SOT-363-6
通道数2 Channel
漏源极电阻360 mΩ, 510 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗270 mW
输入电容46.0 pF
栅电荷3.00 nC
漏源极电压(Vds)20V, 8V
漏源击穿电压±20 V
连续漏极电流(Ids)775 mA
输入电容值(Ciss)46pF @20V(Vds)
额定功率(Max)270 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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NTJD4105CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2 mm
宽度1.25 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTJD4105CT4G 数据手册

NTJD4105CT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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NTJD4105CT4 数据手册

NTJD4105CT4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET的20 V / -8.0 V，互补， 0.63 A / -0.775 A， SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
NTJD4105CT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET的20 V / -8.0 V，互补， 0.63 A / -0.775 A， SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88
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