Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > NTJD4158CT1G Datasheet 文档
NTJD4158CT1G
来自 AiPCBA

NTJD4158CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SC-70-6
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTJD4158CT1G  Dual MOSFET, N and P Complement, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新
PDF文件:NTJD4158CT1G 数据手册 (2 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NTJD4158CT1G 数据手册 (2 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTJD4158CT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电流250 mA
封装SC-70-6
针脚数6 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗270 mW
阈值电压1.2 V
输入电容33.0 pF
栅电荷1.50 nC
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)250 mA, 880 mA
输入电容值(Ciss)33pF @5V(Vds)
额定功率(Max)270 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)270 mW
查看数据手册 >

NTJD4158CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

NTJD4158CT1G 数据手册

NTJD4158CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.19 MByte
NTJD4158CT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.2 MByte

NTJD4158CT1 数据手册

NTJD4158CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTJD4158CT1G  Dual MOSFET, N and P Complement, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet