类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 630 mA |
封装 | SC-88-6 |
漏源极电阻 | 510 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 270 mW |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
栅源击穿电压 | ±12.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 630 mA |
上升时间 | 227 ns |
输入电容值(Ciss) | 46pF @20V(Vds) |
额定功率(Max) | 270 mW |
下降时间 | 227 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 1.25 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 630mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTJD4401NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
ON Semiconductor(安森美)
NTJD4401NT1 复合场效应管 20V 630mA/0.63A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 TDX ESD保护 负载开关
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
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小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
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