| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 775 mA |
| 封装 | SOT-363 |
| 漏源极电阻 | 510 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 270 mW |
| 输入电容 | 46.0 pF |
| 栅电荷 | 3.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 630 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 46pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 270 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTJD4401NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
ON Semiconductor（安森美）
NTJD4401NT1 复合场效应管 20V 630mA/0.63A SOT-363/SC70-6/SC-88 marking/标记 TDX ESD保护 负载开关
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
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