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NTJD5121NT1G
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NTJD5121NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-363
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTJD5121NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
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NTJD5121NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363
针脚数6 Position
漏源极电阻1 Ω
极性Dual N-Channel
功耗266 mW
阈值电压1.7 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)330 mA, 295 mA
上升时间34 ns
正向电压(Max)1.2 V
输入电容值(Ciss)26pF @20V(Vds)
额定功率(Max)250 mW
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)266 mW
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NTJD5121NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTJD5121NT1G 数据手册

NTJD5121NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.06 MByte
NTJD5121NT1G 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
48 页 / 1.8 MByte
NTJD5121NT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.18 MByte
NTJD5121NT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
NTJD5121NT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.04 MByte
NTJD5121NT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.06 MByte

NTJD5121NT1 数据手册

NTJD5121NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTJD5121NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
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