类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | -12.0 V |
额定电流 | -3.30 A |
封装 | SC-70-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.133 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 0.625 W |
输入电容 | 850 pF |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
栅源击穿电压 | ±12.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.30 A |
上升时间 | 1.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 850pF @12V(Vds) |
额定功率(Max) | 625 mW |
下降时间 | 3.9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.2 mm |
宽度 | 1.35 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET,12V,ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
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沟槽功率MOSFET的12 V , 3.3 A单P沟道, ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
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