| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -12.0 V |
| 额定电流 | -2.70 A |
| 封装 | SC-88-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 133 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 输入电容 | 850 pF |
| 栅电荷 | 8.60 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.70 A |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 850pF @12V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 下降时间 | 3.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET的12 V ， 3.3 A单P沟道， ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET的12 V ， 3.3 A单P沟道， ESD保护SC- 88 Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
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