| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363-6 |
| 漏源极电阻 | 47 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.2A |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTJS4151PT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88
ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET -20 V， -4.2 A，单P沟道， SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
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沟槽功率MOSFET -20 V， -4.2 A，单P沟道， SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
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