| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | WDFN-6 |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.60 A, 3.80 A |
| 输入电容值(Ciss) | 271pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 710 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTBG 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV
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