类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | WDFN-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.037 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 2.3 W |
阈值电压 | 700 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
栅源击穿电压 | ±8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.80 A, 4.60 A |
输入电容值(Ciss) | 271pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 710 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.3 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 2 mm |
高度 | 0.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NTLJD3119CTBG 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件