| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 6.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 24.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
| 上升时间 | 22.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 950pF @24V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.29 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
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