| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -6.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 漏源极电阻 | 27.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.80 A |
| 上升时间 | 20.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1700pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
双 P 通道 MOSFET，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 6安培， 20伏P沟道SO- 8 ，双 Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual
ON Semiconductor（安森美）
P 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 6 A， 20 V ， PA ????频道SOICâ ???? 8 ，双 Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8, Dual
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