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NTMFS4833NT1G
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NTMFS4833NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SO-FL-8
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4833NT1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 191A, DFN5
PDF文件:NTMFS4833NT1G 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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NTMFS4833NT1G 数据手册 (9 页)
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NTMFS4833NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装SO-FL-8
通道数1 Channel
针脚数5 Position
漏源极电阻0.0013 Ω
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压1.5 V
输入电容5600pF @12V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)191 A
上升时间34 ns
输入电容值(Ciss)5600pF @12V(Vds)
额定功率(Max)910 mW
下降时间17 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)910mW (Ta), 125W (Tc)
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NTMFS4833NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度4.9 mm
宽度5.8 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTMFS4833NT1G 数据手册

NTMFS4833NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.23 MByte
NTMFS4833NT1G 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
NTMFS4833NT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NTMFS4833NT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte

NTMFS4833NT1 数据手册

NTMFS4833NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4833NT1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 191A, DFN5
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