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NTMFS4897NFT1G
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NTMFS4897NFT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:DFN-8
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4897NFT1G  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:NTMFS4897NFT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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NTMFS4897NFT1G 数据手册 (6 页)
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NTMFS4897NFT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装DFN-8
针脚数8 Position
漏源极电阻1.3 mΩ
极性N-Channel
功耗125 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)5660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)950 mW
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)950mW (Ta), 96.2W (Tc)
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NTMFS4897NFT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTMFS4897NFT1G 数据手册

NTMFS4897NFT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
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