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NTMFS4983NFT1G
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NTMFS4983NFT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SO-8
描述:功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道
PDF文件:NTMFS4983NFT1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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NTMFS4983NFT1G 数据手册 (7 页)
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NTMFS4983NFT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0016 Ω
极性N-Channel
功耗3.13 W
阈值电压1.7 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)48A
上升时间24.9 ns
输入电容值(Ciss)3250pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1.7 W
下降时间10.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.7W (Ta), 38W (Tc)
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NTMFS4983NFT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTMFS4983NFT1G 数据手册

NTMFS4983NFT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.08 MByte
NTMFS4983NFT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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NTMFS4983NFT1 数据手册

NTMFS4983NFT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道
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