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NTMFS5H610NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
DFN
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NTMFS5H610NLT1G 数据手册
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NTMFS5H610NLT1G 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
5 Pin
封装
DFN
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
功耗
43 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
880pF @30V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW
NTMFS5H610NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
NTMFS5H610NLT1G 符合标准
NTMFS5H610NLT1G 数据手册
NTMFS5H610NLT1G
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
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NTMFS5H610NLT1 数据手册
NTMFS5H610NLT1
G
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ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
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