| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -10.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.014 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 880 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A, 10.0 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 3640pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.6 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -10安培，伏特-20 P沟道增强型单SO- 8封装 Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 Package
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTMS10P02R2G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 10A, SOIC
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