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NTP30N20G
来自 AiPCBA

NTP30N20G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:NA ????通道Enhancementâ ????模式TOA ???? 220 N−Channel Enhancement−Mode TO−220
PDF文件:NTP30N20G 数据手册 (7 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在7 页
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NTP30N20G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流30.0 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻68 mΩ
极性N-Channel
功耗214 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间20.0 ns
输入电容值(Ciss)2335pF @25V(Vds)
额定功率(Max)214 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)214W (Tc)
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NTP30N20G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.28 mm
宽度4.82 mm
高度9.28 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTP30N20G 数据手册

NTP30N20G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.14 MByte
NTP30N20G 其他数据使用手册
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8 页 / 0.29 MByte

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