| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -400 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 550 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 400 mA |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 70pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.55Ω @-200mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.1--2.83 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life RDSon = 0.80 , VGS = −10 V RDSon = 1.10 , VGS = −4.5 V • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 的RDSon，VGS=0.80= -10 V 导通电阻RDSon= 1.10，VGS=-4.5 V •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
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ON SEMICONDUCTOR NTR0202PLT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V
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功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
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