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NTR0202PLT3G
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NTR0202PLT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
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NTR0202PLT3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-400 mA
封装SOT-23-3
通道数1 Channel
漏源极电阻550 mΩ
极性P-Channel
功耗225 mW
输入电容70.0 pF
栅电荷2.18 nC
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)400 mA
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)70pF @5V(Vds)
额定功率(Max)225 mW
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)225mW (Ta)
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NTR0202PLT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTR0202PLT3G 数据手册

NTR0202PLT3G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.13 MByte
NTR0202PLT3G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.18 MByte
NTR0202PLT3G 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte

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