类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
漏源极电阻 | 280 mΩ |
极性 | P-CH |
功耗 | 0.4 W |
阈值电压 | 2.3 V |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 1A |
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ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
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ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V
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P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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0805 外壳 100 kOhm ±0.1 % 容差 ±25 ppm/°C
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