| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 148 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 400mW (Ta) |
| 输入电容 | 165 pF |
| 栅电荷 | 2.50 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 输入电容值(Ciss) | 165pF @5V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 400mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V
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P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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