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NTR2101PT1
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NTR2101PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:小信号MOSFET Small Signal MOSFET
PDF文件:NTR2101PT1 数据手册 (6 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在6 页
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NTR2101PT1 数据手册 (6 页)
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NTR2101PT1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)-8.00 V
额定电流-3.70 A
封装SOT-23-3
漏源极电阻79.0 mΩ
极性P-Channel
功耗960mW (Ta)
输入电容1.17 nF
栅电荷15.0 nC
漏源极电压(Vds)8 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)3.70 A
输入电容值(Ciss)1173pF @4V(Vds)
耗散功率(Max)960mW (Ta)
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NTR2101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTR2101PT1 数据手册

NTR2101PT1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
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