| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.20 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.21 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 730 mW |
| 阈值电压 | 720 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.20 A, -3.20 A |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 675pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 420 mW |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
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